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ZAG7001零气发生器
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S-440定硫仪
用途:用于硫的测定。采用热导检测的分析原理。分析范围包括化学和药物学产品、精细化工产品、肥料、石油化工产品 ,橡胶、塑料、高分子材料及添加剂、建筑和绝缘材料、煤、固体废弃物等。售后服务:具备
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rapid S cube定硫仪
限*: < 1 ppm(200 mg 样品)测量精度*: < 1% RSD(对1%的S含量时)校准*: 单点,或多点4级回归分析时间*: 约5分钟样品重量*: 高达1 g(土壤)或100 mg的有机物
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A.L.S. PiLas 皮秒激光器
PiLas 皮秒激光器规格参数:光学参数PiLas中心波长(1)375 nm – 2 μm脉宽(2)20 ps – 150 ps脉冲峰值功率(3)20 mW – 1 W脉冲能量(4)1
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1550nm单频半导体激光器 (超窄线宽
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po20mW中心波长λc1550nM光谱半高宽度FWHM5 / 15kHz边模抑制比SMSR40dB消光比*PER20dB相对强度噪声
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1064nm单模半导体激光器
技术指标参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po80mW中心波长λc1063.510641064.5nm光谱半高宽度FWHM0.06nm边模抑制比SMSR4050dB阈值电流
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785nm窄线宽半导体激光器
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.080.12nm边模抑制比SMSR3035dB工作电压Vop1.92.2VTEC
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785nm单模半导体激光器
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po120mW中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.05nm边模抑制比SMSR4050dB阈值电流Ith40mA
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785nm窄线宽高功率半导体激光器模块
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po500mW中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.080.12nm边模抑制比SMSR3035dB工作电流
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1550nm单频激光器模块(超低RIN值
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po 80mW中心波长λc1550nm光谱半高宽度FWHM 50 100kHz边模抑制比SMSR 40dB
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